Page 81 - 4121

C 1
R 1

L L

а

C R 1

C 2
R 2

L L

б
Рисунок 4.12 – Схеми, що запобігають випадковому
ввімкненню тиристорів

Усі вище наведені проблеми з завадами мають місце і у
переходах база – емітер біполярних транзисторів. Крім того,
паразитні ємності між базою, емітером і колектором можуть
спричинити паразитну генерацію високочастотних
транзисторів на частоті, що є у п’ять разів меншою за робочу.
У загальному випадку, при створенні схем вимірювальних
приладів рекомендується застосовувати транзистори з
мінімально можливою швидкодією. До того ж, переходи база
– емітер та база – колектор можуть випростовувати
високочастотні завади, змінюючи напругу зміщення робочої

80