Page 82 - 4121

точки транзистора. Це може змінити коефіцієнт підсилення
транзистора, або відкрити транзистор, який вважається
закритим.
Паразитна ємність може стати причиною паразитного
зв’язку між витоком, затвором і стоком польових
транзисторів, при чому у схемах з високим імпедансом рівень
цих проникаючих завад може перевищувати рівень робочих
сигналів. Паразитна ємність, крім того, може призвести до
появи паразитних коливань у польовому транзисторі.
Для запобігання виникненню високочастотних
паразитних коливань у біполярних транзисторах доцільно
під’єднати між базою та емітером конденсатор ємністю 10 -
100 пФ (С1 та С2 на рис. 4.13, а, б). Аналогічні функції, але
вже для польових транзисторів, будуть виконувати резистори
з опором 100 Ом – 2 кОм, які послідовно приєднуються до
затвору (рис. 4.13, в, г).
Іншим, досить ефективним методом боротьби з
високочастотними паразитними коливаннями, який не
вимагає змін у схемі пристрою, є застосування феритового
кільця, що надягається на виводи бази чи затвору (рис. 4.13, д
– з). При цьому підсилення транзистора на високих частотах
зменшується, але низькочастотні характеристики
залишаються незмінними.
Надлишковий рівень завад пов'язаний з дуже малими
тривалостями наростання та спаду амплітуди сигналів при
перемиканні біполярних та польових транзисторів. Генерацію
завад можна послабити, якщо між колектором та емітером
(витоком та втоком) помістити конденсатор з ємністю  47
нФ, який знизить швидкодію транзисторів.
Багато факторів впливає на виникнення завад у
електровакуумних приладах. Вони можуть генерувати
паразитні коливання, сприймати розсіяні електромагнітні поля
і фон від вентиляторів і нагрівачів, які працюють на змінному
струмі, у них можливе виникнення мікрофонних ефектів
внаслідок ударів та вібрацій і струмів втрат між катодом,
сіткою, анодом та іншими елементами, вони можуть
генерувати потужні імпульси при різкому ввімкненні та
вимкненні на повній потужності, а також при значних змінах
навантажень.
Паразитна ємність зменшує швидкодію операційних
81