Page 321 - 70

де E 0 (H 0 ) — напруженість падаючої хвилі електричного (магнітного) поля,
E (H ) — напруженість хвилі електричного (магнітного) поля на виході із ек-
1 1
рана. Для плоского екрана
К  К погл  К відб  К . м відб , (8.103)
з
де K погл , K відб — втрати на поглинання і відбивання, К . м відб — корегуючий
коефіцієнт.
Для екрана з тонкого листа маємо, що

K погл  0 ,131 t f відн , (8.104)

де t — товщина екрана, мм; f — частота поля, Гц; M — магнітна проникність
матеріалу екрана;  відн   /  міді  ( — питома електрична провідність,

мСм/м);
K відб  168  10 lg ( f відб , ) (8.105)

2
K . м відб  168  10 lg ( fr  відб / ), (8.106)
де r — відстань від джерела завади до екрана.
Для електричного поля основним механізмом екранування є відбиття. Чим
меншим є повний опір екрана, тим більшими є втрати на відбиття. Опір буде
мінімальним при виготовленні екрана з матеріалу з високою провідністю і
малою магнітною проникністю. Оскільки відбиття електричних полів
відбувається головним чином від поверхні екрана, то навіть дуже тонкий екран
забезпечує надійне екранування.
Основні втрати для магнітних полів низької частоти складають втрати на
поглинання. Тому для такого екрана необхідно використовувати магнітний
матеріал з високою магнітною проникністю і достатньою товщиною. Для
зменшення впливу на проникність напруженості магнітного поля необхідно
застосовувати багатошаровий екран, роблячи перший екран з матеріалу з
високим рівнем насичення, а другий — з матеріалу з високою магнітною
проникністю. Треба зазначити, що на практиці власна ефективність екранування
матеріалу екрана значно зменшується за рахунок наявності в екрані швів,
з'єднань і отворів. Проникнення завади через розриви в екрані залежить від
трьох чинників:

167