Page 16 - 6850

характеризується двома параметрами: iндуктивністю L та активним опором R
L. Відповідно заступна схема складається з двох послідовно з'єднаних
елементів (рис. 1.6,а), тому напругу на реальній котушці – індуктивності
можна розглядати як суму и L та и R, першу з яких ми вже розглянули.

а) б)
Рисунок 1.6 – Заступна схема реальних iндуктивного (а)та ємнісного
(б) елементів
За своїми властивостями до ідеального ємнісного елемента близький
конденсатор Ємнiсний елемент (ємнiсть) – реактивний елемент, в якому
накопичується енергiя електричного поля (рис.1.7).

Рисунок 1.7– Ємнiсний елемент

Із курсу фізики відомо, що електричний заряд q, накопичений
конденсатором, пропорційний напрузі на його обкладках:
q = Cu, (1.18)
де С − ємність конденсатора. Ємність вимірюється в фарадах
(Ф,мФ,мкФ).
При змінній в часі напрузі на обкладинках конденсатора в ньому
наявний струм зміщення. Рівняння ідеального конденсатора ємністю С
запишемо, враховуючи формули (1.1) і (1.18):
dq d (Cu ) du ( )t
( )i t   C  C (1.19)
C
dt dt dt
Звідси знаходимо зв'язок мiж струмом та напругою для ідеального
конденсатора (C = const):

1
u  i dt
C  C
C (1.20)

16