Page 68 - 6722

 підвищенні вмісту вуглецю в шарі і відповідно
підвищенні вмісту вуглецю в мартенситі після
гартування;
 зміцненні дисперсною фазою, утвореною в
поверхневому шарі насичуючим елементом;
 утворення твердих хімічних сполук в шарі.
Вплив концентрації вуглецю на поверхні, температури
і часу на глибину шару приведено на рисунку 3.1.

а б в

Рисунок 3.1 – Схема впливу параметрів ХТО на глибину шару

Так залежність глибини дифузійного шару від
температури (рисунок 3.1 б) можна описати наступною
залежністю
 Q
x  k 1 e RT , (3.1)

де k 1- коефіцієнт;
Q - енергія активації;
R - універсальна газова постійна;
T - температура.
Залежність глибини шару від тривалості насичення
(рисунок 3.1 в) визначається по формулі

66