Page 42 - 6376

Рисунок 7 – Гістерезис сегнетоелектриків.

При періодичній зміні поляризації сегнетоелектрика на подолання тертя під час

повертання електричних моментів витрачається електрична енергія, яка йде на нагрівання
сегнетоелектрика. Площа петлі гістерезису пропорційна до електричної енергії, що

перетворюється у внутрішню енергію в одиниці об’єму сегнетоелектрика за один цикл.

Характерною особливістю сегнетоелектриків є те, що паралельна орієнтація
дипольних моментів елементарних комірок має місце тільки в невеликих областях кристалу

– доменах. Доменами називають сукупності спонтанно поляризованих елементарних комірок
з паралельним розміщенням дипольних моментів. Домени в кристалі сегнетоелектрика

орієнтовані хаотично, тобто мають різні напрямки спонтанної поляризації. Тому різні

ділянки граней сегнетоелектричних кристалів мають неоднакову макроскопічну
поляризацію.

За відсутності поля області спонтанної поляризації розміщуються так, що електричні
дипольні моменти різних доменів компенсують один одного і середня поляризація

сегнетоелектрика дорівнює нулю. Якщо внести кристал сегнетоелектрика у зовнішнє поле,

відбувається переорієнтація електричних моментів доменів і весь кристал стає
поляризованим.

Завдяки великій діелектричній проникності сегнетоелектрики широко
використовуються при виготовленні конденсаторів.

22.6. Електрострикція. Явище п’єзоефекту. Резонансна частота
п’єзоелементів. Електрострикція – зміна розмірів (деформація) діелектриків (наприклад,

сегнетової солі) під дією електричного поля. Електрострикція пропорційна квадрату

напруженості електричного поля і не залежить від зміни його напрямку. Електрострикція –