Page 50 - 52

Аналогічний аналіз можна провести і по кривих S, але
в цьому випадку приріст провідності S для досліджуваного
пласта повинен становити не менше 10 сумарної
провідності перекриваючої товщі.
Для прикладу використаємо розрахунки, які були
виконані в попередньому підрозділі, і визначимо аномальний
ефект для пласта Н 4.
Замінимо пласт Н 4 від середини вгору перекриваючим і
вниз - підстилаючим. Розрізи в цьому випадку будуть мати
такий вигляд:

а) з досліджуваним б) без досліджуваного шару
шаром

H 1=160  1=70 H 1=160  1=70
H 2=320  2=11 H 2=320  2=11
Н 3=1000  3=500 Н 3=1175  3=500
Н 4=1350  4=12 Н 4= ----  4= ----
Н 5=1750  5=120 Н 5=1750  5=120
Н 6=2750  6=30 Н 6=2750  6=30
Н 7=  7=1000 Н 7=  7=1000

Всi Н наведенi в м, а  - в Омм.
Як видно з наведених розрахунків (таблиці 5.4, 5.5) і
рисунок 5.4, аномальний ефект від шару Н 4 в даному випадку
перевищує 10 по полю E . Звідки випливає, що для даного
розрізу можливість виділення досліджуваного пласта Н 4 на
фоні вміщуючих значна, і метод придатний для
розвідувальних та структурних цілей.
Аналогічний висновок можна зробити і по кривих
параметрів розрізу, отриманим з перерахунків оберненої
задачі.

5.3 Методика інтегрального об’єднання в загальну
товщу шарів з близькими значеннями опору

Метод ЗСБ, хоч і має достатню локальність, але значно
поступається в цьому відношенні електрокаротажу. Так, дані