Page 267 - 4687

сіальні покриття не містять інших фаз. Їх утворення полегшу-
ється за наявності високого кристалографічної відповідності
матеріалу покриття і основного матеріалу. У міру зростання
монокрісталліта виникає напружений стан, що приводить до
виникнення межі, і в процесі формування покриття стає
полікристалічним (рисунок 3.5, б). Товщина епітаксіальних
покриттів, як правило, невелика і складає долі мікрометра, що
особливо характерно при поєднанні матеріалів з недостатньо
високою структурною відповідністю фаз. Перехід монокрис-
талічних покриттів у полікристалічні може служити мірою
розмежування в назвах плівки і покриття. Епітаксіальні плівки
можуть бути отримані з багатьох неорганічних матеріалів.
Здатність розплаву виділяти надлишкові фази при кристаліза-
ції або в процесі подальшого охолодження та експлуатації
призводить до отримання полікристалічних покриттів.
Найбільш доступні для нанесення епітаксіальних по-
криттів методи конденсаційно-вакуумного і газофазного оса-
дження покриттів, досить широко використовують також і
технології отримання мікрокристалічних плівок з розплавле-
ного стану.
Поряд з кристалічними структурами з розплавленого
стану отримують склоподібні і аморфні покриття. Скло-
подібний тип структури характерний насамперед для силікат-
них покриттів. Проміжне положення між кристалічними і
склоподібними займають склокристалічні покриття з різним
співвідношенням фаз.
Межі та будову кристалітів у тонких (1…100 мкм) по-
криттях зазвичай не вдається виявити металографічними до-
слідженнями. Кристалічна будова проявляється у товстих по-
криттях, від міліметра і більше, та проявляється у стовпчастій
структурі у напрямку тепловідведення. У матеріалах покрит-
тів, схильних до аморфізації, як показують рентгеноструктур-
ні дослідження, з'являється значна кількість аморфної фази.
Високі швидкості охолодження здатні фіксувати й інші форми
266