Page 22 - 4672

використовується піроелектричний матеріал типу титанату
барію ВаТіО 3 з домішками.
Енергетична опроміненість поверхні тіла (в т.ч.
приймача випромінювання) від точкового джерела
випромінювання є обернено пропорційною квадрату віддалі r
від джерела до поверхні і прямо пропорційною косинусу кута
 між напрямом потоку випромінювання і нормаллю до
опромінюваної поверхні
I cos
E  , (2.11)
r 2
де І – сила випромінювання точкового джерела в напрямі
опромінюваної поверхні.
Поняття точкового джерела випромінювання є
ідеалізованим, тому, виходячи з практичних результатів
вимірювання, для збереження закону обернених квадратів
відношення розмірів джерела до віддалі до нього повинно
бути меншим від 0,1.

Хід роботи

1. Зібрати схему згідно з рис. 2.1, а для одного з
фоторезисторів.
2. Виміряти величину струму і т в колі при відсутності
освітлення.
3. Повертати фоторезистор в штативі відносно джерела
видимого випромінювання так, щоб створити величину
освітлення фоторезистора порядку 100…200 лк. Величину
освітлення вимірювати за допогою люксметра, приймач якого
слід розмістити поряд з фоторезистором.
4. Виміряти величину струму і ф в колі при заданій
величині освітлення.
5. Згідно з (2.6) визначити інтегральну чутливість S інт
фоторезистора.
6. Змінюючи величину струму в колі за допомогою
реостата, виміряти відповідні спади напруги на фоторезисторі
при заданому освітленні.

21