Page 18 - 4672

i i 
S  ф Т , (2.6)
інт
Ф
де і ф – струм в опроміненому фоторезисторі; і т – струм
фоторезистора при відсутності опромінення (темновий струм).
Інтегральна чутливість фоторезисторів становить
приблизно 10 А/лм. Важливим параметром є темновий опір
R T, тобто опір фоторезистора при відсутності освітлення. Він
знаходиться в діапазоні від 0,04 до 100 МОм.
Характеристики фоторезисторів в залежності від
величини опромінення є нелінійними, а вольтамперні є
лінійними в широких межах. Визначають їх за схемою
рис.2.1,а.
Фоторезистори інерційні, більшість з них працюють
при зміні світлового потоку з частотою до 100 Гц.
Характерною особливістю фоторезисторів є залежність їх
опору від падаючого потоку випромінювання, тобто R = f(Ф).
Визначають цю залежність за схемою рис.2.1,б.

Рисунок 2.1 – Схеми під'єднання фоторезистора для.
визначення вольтамперної характеристики (а) та залежності
фотоопору від падаючого потоку випромінювання (б)

Криву R = f(Ф) можна розбити на три характерні
ділянки і апроксимувати простими виразам:
R  R  a  Ф ;R  R  b  Ф ;R  const , (2.7)
I T II T III
де а і b – коефіцієнти, постійні для кожного типу резистора.

17