Page 23 - 4672

7. На основі цих результатів побудувати вольт-амперну
характеристику даного фоторезистора.
8. Зібрати для фоторезистора схему згідно з рис. 2.1, б.
9. Встановити джерело інфрачервоного випромінювання і
під'єднати його до регульованого джерела електричного
живлення.
10. Ручку регулятора джерела електричного живлення
встановити в середнє положення.
11. Спрямувати джерело інфрачервоного випромінювання
на фоторезистор.
12. Змінюючи положення фоторезистора на різні віддалі
відносно джерела інфрачервоного випромінювання вздовж осі
потоку випромінювання, тим самим змінюючи опроміненість
фоторезистора, при цьому вимірювати величину опору
фоторезистора на кожному дискретному кроці зміни
опроміненості, яка буде залежати від віддалі згідно з (2.11).
13. Побудувати залежність величини опору
фоторезистора від освітленості R = f (E).
14. Визначити темновий опір R т. та проаналізувати криву
R = f (E).
15. Повторити вимірювання і визначення S інт для решти
фоторезисторів.
16. Скласти електричне коло згідно схеми на рис. 2.2, а.
17. Встановити в штативі фотодіод і повторити п.п. 2 – 5
і п.п. 9 – 12 для фотодіода аналогічно як для фоторезисторів,
тільки замість величини струму вимірювати величини
фотоелектрорушійної сили при відсутності зовнішнього
запираючого струму, тобто в фотогальванічному режимі.
18. Побудувати графічні залежності величини ЕРС від
опроміненості фотодіода.
19. Повторити п.п. 16 – 18 для інших фотодіодів.
20. Проаналізувати одержані залежності та зробити
висновки.

22