Page 17 - 4672

Чим легше метал віддає свої електрони, тим в більш
довгохвильовій області лежить червона границя фотоефекту.
Наявність домішок може пересунути червону границю в
область довгих хвиль.
Найпростішими приймачами цього класу є вакуумні
фотоелементи, в яких два електроди поміщені у вакуумний
балон.
Фотоелектронні помножувачі (ФЕП) відрізняються від
вакуумних фотоелементів наявністю вторинного
електронного помножувача, фокусуючої електронно-
оптичної системи та діафрагми. Вони мають коефіцієнт
7
підсилення до 10 і можуть реєструвати навіть окремі фотонів.
Звільнення електронів під дією енергії випромінювання
відбувається не тільки в металах, а може бути також в
діелектриках і напівпровідниках. Такий фотоефект полягає в
зменшенні опору ізолюючих речовин (кристалів) під дією
випромінювання. Зменшення опору обумовлено
фотоіонізацію атомів чи іонів, які поглинули кванти
випромінювання. Таке явище внутрішнього фотоефекту
пояснюється на основі зонної теорії кристалічних твердих тіл.
Серед приймачів, робота яких основана на явищі
внутрішнього фотоефекту, розрізняють фоторезистори,
фотодіоди, фототранзистори, фототиристори та ін.
Конструктивна фоторезистори представляють собою
тонкий напівпровідниковий шар (CdS, PbSb, IrAs і ін. ) на
скляній чи керамічній основі з електродами для подачі
напруги. Звичайно, фоторезистор розміщують у герметичному
корпусі з металу чи пластмаси з прозорим в даному діапазоні
вікном. Спектральна характеристика фоторезисторів
обумовлена матеріалом і технологією виготовлення
напівпровідникового шару і має широкий діапазон.
Інтегральна чутливість S інт є відношенням зміни електричного
сигналу до потоку випромінювання Ф при постійній напрузі
живлення:

16