Page 78 - 4627

Для того щоб транзистор увійшов до режиму насичення,
I
I  KH
необхідно забезпечити струм бази не менший за БН

Ступінь насичення характеризується коефіцієнтом
насичення

У активному режимі 5 < 1.

До основних параметрів біполярних транзисторів
належать:
- максимально допустимий струм колектора І к , що в
основному визначається перетином виводів від кристалу НП,
становить (0,01÷100) А;
-допустима робоча напруга U K Em ax , що визначається
напругою лавинного пробою колекторного переходу,
становить (20÷1000) В;
- коефіцієнт передачі струму β= 20÷50;
- допустима потужність на колекторі Р к=І к* U КЕ (якщо
Р к< 0,3 Вт, то маємо транзистор малої потужності, якщо Р к=
0,3÷1,5 Вт - середньої потужності, якщо Р к>1,5 Вт - великої
потужності), за її перевищення кристал розплавиться.

Складені транзистори
Для значного підвищення коефіцієнта підсилення за
струмом застосовують комбінації з двох і більше
транзисторів, з'єднаних так, що у цілому конструкція, як і
одиночний транзистор, має три зовнішніх виводи і нази-
вається складеним транзистором.
Схема складеного транзистора, виконаного на
транзисторах одного типу провідності, наведена на рис. 2.22,а.
її ще називають схемою Дарлінгтона.

78