Page 79 - 4627

Рис.7.3 – Складений транзистор за схемою Дарлінгтона
Тут вхідний струм є струмом бази першого транзистора.
Після підсилення останнім у (β 1, разів він подається у базу
другого транзистора, яким підсилюється ще в β 2 разів. У
результаті загальний коефіцієнт підсилення за струмом
становить

Таку схему широко застосовують як у дискретному
виконанні, так і в інтегральному.
Схема складеного транзистора, виконаного на
транзисторах різного типу провідності - схема Шиклаї,
наведена на рис. 7.4. Її особливістю є те, що тип провідності
конструкції в цілому визначається типом провідності першого
транзистора. Так, у даному разі ми маємо еквівалент
транзистора п-р-п типу (незважаючи на те, що на виході
встановлено транзистор УТ2 р-п-р типу - його емітер є
колектором, а колектор - емітером складеного транзистора).

Рис.7.4 – Складений транзистор за схемою Шиклаї

79