Page 80 - 4121

зменшуючи завадочутливість схеми.
R 1 L 1 Ô å ð è ò î â å L 2
1 - 1 0 Î ì ê ³ ë ü ö å 1 0 0 - 7 5 0 ì ê Ã í
а б в

Ñ 1 Ñ 2 Ñ 3
0 , 0 5 - 0 , 2 5 ì ê Ô Ñ 2
0 , 0 5 - 0 , 2 5 ì ê Ô 0 , 0 5 - 0 , 2 5 ì ê Ô R 2

г д е
Рисунок 4.11 – Схеми для зменшення впливу перехідних
процесів при ввімкненні та вимкненні діодів

Паразитна ємність стабілітронів знаходиться у межах 10
– 7000 пФ, що запобігає появі малотривалих викидів. Поблизу
вигину вольт-амперної характеристики в зоні пробою, у
більшості стабілітронів є ділянка негативного опору, у якій
може генеруватись білий шум з амплітудою 1 – 1000 мкВ.
Такий тип завад особливо помітний у сплавних стабілітронах.
Для зменшення завад можна використати дифузійні
стабілітрони, вибрати режим роботи подалі від вигину вольт-
амперної характеристики в зоні пробою, або зашунтувати
стабілітрон невеликим керамічним конденсатором.
Тиристори можуть генерувати сильні викиди напруги у
ланках змінного струму внаслідок високої швидкості їх
спрацювання і можливості перемикання значних струмів.
Такий викид напруги на аноді, частина якого через внутрішню
паразитну ємність подається на управляючий електрод, може
призвести до несанкціонованого ввімкнення тиристора.
Зменшити імовірність такого несанкціонованого спрацювання
можуть спеціальні схеми,) які запускають тиристори при
мінімальному струмі навантаження (рис. 4.12, а), а також
згладжуючі R-C-ланки, що сприяють більш плавному
зростанню струму на аноді (рис. 4.12, б).

79