Page 12 - 4117

(   ) 2
Z = e 1 e 2 , (1.14)
    
1 1 2 2
де Z – коефіцієнт ефективності;
 – теплопровідність;
q – питомий електричний опір.
Індекси 1 та 2 відносяться до матеріалів
термоелектродів, які створюють коло термоелемента.
Ефективність термоелектричних перетворювачів може бути
підвищена при збільшенні початкової температури за
допомогою концентраторів сонячного випромінювання.

1.2.2 Фотоелектричне перетворення сонячного
випромінювання.
Фотоелектричне перетворення сонячного
випромінювання базується на явищі фотоелектричного ефекту
– вивільнення електронів провідності в приймачі
випромінювання під дією енергії квантів сонячного ви-
промінювання.
Цей ефект використовується в напівпровідникових
матеріалах, в яких енергія квантів випромінювання створює,
наприклад, на р-п переході фотострум

І ф = еN e, (1.15)

де N е – число електронів, що створюють на переході різницю
потенціалів (точніше – які зменшують різницю потенціалів),
внаслідок чого на переході в зворотному напрямку тече
струм витоку, рівний фотоструму.
До теперішнього часу створено багато різновидностей
напівпровідникових матеріалів, що використовуються для
створення р-п переходів (Si, Qe, InP, Cd, Те...), розроблені
конструкції сонячних елементів (батарей).
Втрати енергії при фотоелектричному перетворенні
обумовлені неповним збиранням носіїв, неповним
використанням фотонів ("фотоелектрично негативне
поглинання"), а також розсіюванням, опором і
рекомбінацією вже створених електронів провідності.
11