Page 11 - 4117

=75. Такі значення фактора концентрації можливі тільки за
наявності системи слідкування концентраторів за Сонцем.
Іншим способом отримання більш високої температури
нагрівання є дія на відношення альбедо до випромінювальної
здатності (n/E). Деякі матеріали, наприклад, карбід гафнію
(HfC), при покритті прозорим діелектриком дозволяють
досягти значення (n/ε ) = 4 - 5.
З рівняння (1.11) можна зробити висновок, що за
допомогою багатошарових покриттів, які мають селективні
(вибіркові) властивості, можна підвищити початкову
температуру нагрівання. Для цього можуть застосовуватися
селективні газові приймачі сонячного випромінювання, до
складу яких входять бром та йод або їх сполуки.
Широкого застосування набувають фототермічні
перетворювачі сонячного випромінювання в електричну
енергію, дія яких базується на ефекті виникнення
термоелектрорушійної сили. За наявності на контактах
різнорідних матеріалів різниці температур Тп-Тс у
провіднику виникає електрорушійна сила:

 Е =  е (Тn - Tc), (1.12)

дe с – термоелектрорушійна сила.
Коефіцієнт корисної дії термоелемента визначається
рівнянням:

Tn  Tc
1  Z  1
Tn  Tc 2
 
те , (1.13)
Tn Tn  Tc Tc
1  Z 
2 Tn
в якому

10