Page 33 - 313_

французького слова damaine - володіння). В кожному з доменів дипольні
моменти молекул самовільно орієнтовані в одному напрямі.
Сегнетоелектрики можна уявити як своєрідну мозаїку, складену з доменів.
На схематичному рис. 33.3 стрілками вказано напрям орієнтації дипольних
моментів в межах кожного домену. У відсутності зовнішнього поля
дипольні моменти доменів орієнтовані довільно (якщо перед тим
сегнетоелектрики не знаходились в електричному полі).
Поляризація сегнетоелектриків відбувається за рахунок росту і
зміщення границь доменів. Крім цього, відбувається поворот дипольних
моментів окремих доменів в напрямі зовнішнього електричного поля. В
сильному електричному полі можливе явище насичення, коли дипольні
моменти всіх доменів орієнтовані вздовж зовнішнього поля.
Для сегнетоелектриків характерне явище гістерезису
(запізнювання), яке полягає в тому, що крива поляризованості
сегнетоелектрика при збільшенні напруженості зовнішнього поля не
співпадає (відстає) з кривою поляризованості при зменшенні зовнішнього
поля. В результаті сегнетоелектрик може зберігати залишкову
поляризованість.
В сегнетоелектриках спостерігаються особливі ефекти, які
отримали назву п’єзоефектів. Прямий п’єзоефект полягає в тому, що
механічна деформація сегнетоелектрика приводить до появи на його
поверхнях електричних зарядів. Зворотній п’єзоефект проявляється в
деформації (стисненні або розтягу) сегнетоелектрика в зовнішньому
електричному полі. Прямий і зворотній п’єзоефекти широко
застосовуються на практиці для перетворення механічних коливань в
електричні і навпаки.
Для кожного сегнетоелектрика існує температура, при якій
відбувається руйнування його доменів - сегнетоелектрик перетворюється в
звичайний діелектрик. Температура, яка відповідає такому перетворенню,
називається точкою Кюрі (перетворення сегнетоелектрика в звичайний
діелектрик є прикладом фазового переходу другого роду).

Залежність діелектричної

2 проникності сегнетоелектриків
від температури наведена на рис.
33.4. Спочатку з збільшенням
температури збільшується
3
1 діелектрична проникність
сегнетоелектрика (ділянка 1-2).
Таке збільшення діелектричної
0 t к t проникності пояснюється
збільшенням рухливості
Рисунок 33.4
структури сегнетоелектрика, що
зумовлює його «легшу» поляризацію. Коли температура сегнетоелектрика

33