Page 32 - 313_

 
Це поле напруженістю E має напрям, протилежний E .
o
Результуючою напруженістю в діелектрику буде векторна сума (33.4), а за
модулем - (33.5).
  
E  E  E (33.4)
0

E  E  E  (33.5)
0
Фізична величина, яка показує, в скільки разів напруженість
електричного поля в діелектрику менша від напруженості Е о поля у
вакуумі (при тому ж розташуванні зарядів, що створюють поле)
називається діелектричною проникністю середовища і позначається 
(грецька буква «епсилон») (33.6).

E E
  0 (33.6)
E -q зв +q зв
 1   (33.7)
Зв’язок між діелект-
ричною проникністю та 
діелектричною сприйнятливістю в E 0
системі СІ встановлюється
співвідношенням (33.7). Рисунок 33.2
Діелектрична проникність
неполярних діелектриків мала і знаходиться в межах 2>>1. Полярні
діелектрики володіють більшою діелектричною проникністю. Наприклад,
для кварцу  = 4, для слюди  = 7, а для дистильованої води  = 81.

2. СЕГНЕТОЕЛЕКТРИКИ
Існує особлива група діелектриків, для яких діелектрична
3
4
проникність приймає великі значення (порядку 10 -10 ). Крім того, за
своїми фізичними властивостями ця група суттєво відрізняється від
звичайних діелектриків: діелектрична проникливість не є постійною
величиною, а залежить від напруженості поля. Така група діелектриків
отримала назву сегнетоелектриків, від назви сегнетової солі, в якій
вперше було виявлено такі особливі діелектричні властивості (формула
сегнетової солі NaKC 4H 4 x 4H 2O). Властивостями сегнетоелектриків
володіє ряд інших речовин,
наприклад, титанат барію (ВаТіО 3).
Причиною особливих
діелектричних властивостей
сегнетоелектриків є наявність в них
мікроскопічних областей спонтанної
(самовільної) поляризації. Ці
Рисунок 33.3 мікроскопічні
області отримали назву доменів (від

32