Page 140 - 52

У відповідності з цим при обробці за вихідні приймались
параметри двох ліній (А В =69км, r =5км, q =30, A B =70 км,
1 1 1 1 2 2
r =70 км, q =40) і по них визначались однойменні
2 2
еквівалентні величини із виразів
 1
 1 1 1 
К екв       ;

 К 1 К 2 К п 
АВ   А В  А В      А В ;
екв 1 1 2 2 п п
1
 3 
 
 (AB ) 
r   екв  ,
екв
 А В sin А В sin А В sin 
 1 1 1  2 2 2   n n n 
 r 3 r 3 r 3 
 1 2 n 

де: К 1, K 2,,K n; К екв; A 1B 1, A 2B 2,,A nB n,(АВ) екв; r 1,
r 2,,r n, r екв - складові та еквiвалентнi коефiцiєнти установок,
відрізки живильних ліній та діючі віддалі відповідно.
По спостереженій кривій процесу становлення, що
зареєстрована в інтервалі від 1,2 до 12 с, розраховувались
криві позірних опорів звичайних  , а також позірних
провідностей S . Всі криві, особливо диференціальні, досить
чітко відображають в основному чотиришаровий розріз типу
КН із співвідношенням опорів  < > < . Визначення
1 2 3 4
повздовжньої провідності до поверхні високоомних
горизонтів проводилось як по асимптотичним гілкам кривих
  за відповідними формулами, так і безпосередньо за
ординатами горизонтальних дільниць графіків S (Н),
отриманих на рівні 160 Сим і 300 Сим (рис. 7.6). Дещо
завищені на 10-15% значення   і відповідно Н дають
розрахунки їх по координатах мінімумів кривих  .