Page 190 - 4687
P. 190

Сучасний рівень плазмового напилювання в основному
           базується на використанні дозвукових і надзвукових, турбуле-
           нтних, осесиметричних, плазмових струменів з широким діа-
           пазоном теплофізичних властивостей. На нагрівання плазмоу-
           творювального газу витрачається близько половини потужно-
           сті, що підводиться до розпилювача. Зазвичай тепловий ККД
           розпилювача складає 0,4…0,75. Слід також відзначити слабке
           використання  плазмового  струменя  як  джерела  теплоти  на
           нагрівання порошкових частинок. Ефективний ККД нагріван-
           ня  порошкових  частинок  плазмою  (η п)  знаходиться  в  межах
           0,01…0,15.  При  розпиленні  дроту  ефективний  ККД  істотно
           вищий і досягає 0,2…0,3.
                До  найбільш  важливих  тсплофізичних  характеристик
           плазмових струменів, що визначають оптимальні умови нагрі-
           вання, розпилювання та прискорення напилюваних частинок,
           відноситься питома ентальпія, температура і швидкість у різ-
           них перетинах по осі потоку. Гнучке управління теплофізич-
           ними параметрами струменя визначає технологічність проце-
           су і його можливості.

                        Способи плазмового напилювання.
              Порошкові і дротяні способи плазмового напилювання

                Для  напилювання  застосовують  в  основному  плазмові
           струмені,  одержувані  в  дугових  плазмотронах.  Все  більше
           застосовують  плазмогенератори з високочастотним індукцій-
           ним нагріванням газу (рисунок 2.15).












                                         189
   185   186   187   188   189   190   191   192   193   194   195