Page 190 - 4687
P. 190
Сучасний рівень плазмового напилювання в основному
базується на використанні дозвукових і надзвукових, турбуле-
нтних, осесиметричних, плазмових струменів з широким діа-
пазоном теплофізичних властивостей. На нагрівання плазмоу-
творювального газу витрачається близько половини потужно-
сті, що підводиться до розпилювача. Зазвичай тепловий ККД
розпилювача складає 0,4…0,75. Слід також відзначити слабке
використання плазмового струменя як джерела теплоти на
нагрівання порошкових частинок. Ефективний ККД нагріван-
ня порошкових частинок плазмою (η п) знаходиться в межах
0,01…0,15. При розпиленні дроту ефективний ККД істотно
вищий і досягає 0,2…0,3.
До найбільш важливих тсплофізичних характеристик
плазмових струменів, що визначають оптимальні умови нагрі-
вання, розпилювання та прискорення напилюваних частинок,
відноситься питома ентальпія, температура і швидкість у різ-
них перетинах по осі потоку. Гнучке управління теплофізич-
ними параметрами струменя визначає технологічність проце-
су і його можливості.
Способи плазмового напилювання.
Порошкові і дротяні способи плазмового напилювання
Для напилювання застосовують в основному плазмові
струмені, одержувані в дугових плазмотронах. Все більше
застосовують плазмогенератори з високочастотним індукцій-
ним нагріванням газу (рисунок 2.15).
189