Page 165 - 4687

вання з віддаленням від центру і тим менший діаметр плям.
Частка участі в нагріванні плями напилювання газової фази
потоку і частинок залежить від методу напилювання та режи-
му процесу. При суміщеному джерелі нагрівання, розпилю-
вання та прискорення частинок газова фаза потоку бере акти-
вну участь у нагріванні плями напилювання (плазма, газове
полум'я та ін.). У разі поділу джерел, наприклад при дуговій
металізації, нагрівання плями напилювання здійснюється в
основному внаслідок ентальпії частинок потоку. Таким чи-
ном, ККД нагрівання плями напилювання η можна представи-
ти як

η = η м + η г, (2.7)

де η м - ККД нагрівання частинками потоку;
η г - ККД нагрівання газової фазою потоку.
Зі збільшенням дистанції напилювання L частка теплоти,
що вноситься в пляму нагрівання газової фазою, різко падає
(рисунок 2.7). Наприклад, стосовно плазмового напилювання
на відстані L = 50 мм це складає близько 14 %, а на відстані L
= 200 мм знижується до 2 %, за такої же зміни відстані ККД
нагрівання частинками η зменшується тільки у 1,7 рази. Тем-
пература плями нагрівання і напилювання значною мірою
залежить від швидкості переміщення розпилювача по поверх-
ні формування покриття (зазвичай ν = 3…15 см/с). Максима-
льні швидкості переміщення призводять до зниження темпе-
ратури у плямі напилювання. Таким чином, плями нагрівання
і, відповідно, напилювання є своєрідним джерелом
теплоти. Траєкторії переміщення цього джерела по поверхні
напилюваного виробу можуть бути різноманітні: у вигляді
окремих проходів; синусоїдальні, кругові переміщення та ін.

164