Page 12 - 4687

T(dσ/dT) - питома поверхнева ентропія, що має зазвичай
негативне значення.
Теоретичне і експериментальне визначення величини
поверхні енергії є складним завданням. Досить достовірні ре-
зультати можуть бути отримані для кристалічних матеріалів, в
основному металів і оксидів, за допомогою рівнянь, що
зв'язують теплоту сублімації з найближчим порядком атомів у
кристалі. Енергію зв'язку між атомами або, що те ж саме,
энергію атомізації Е S прийнято вважати рівною теплоті
сублімації матеріалів - ΔH S. Величину Е S зазвичай розрахову-
ють або беруть із довідників за термодинамічними властиво-
стями речовин.
Енергія одиничного міжатомного зв'язку в кристалі мо-
же бути визначена за рівнянням:

E   H /( 2 / 1 zN , ) (1.2)
s
1
де z - координаційне число (кількість найближчих сусідніх
атомів в гратах);
N- кількість атомів у молекулі;
1/2 zN - кількість зв'язків атомів у кристалі.
Поверхня сколу кристала з ГЦК гратами на площині має
число розірваних зв'язків, рівне 3/2 на кожен атом. Отже, при
утворенні поверхні на кожен атом необхідно витратити
анергію:
3 3 H  2  H
E  s  s , (1.3)
2 1 2  12 N 4 N

2
Якщо на площині в 1 см є N 0 атомів, то поверхневу енер-
гію визначають за рівнянням:

   H N / 4 N, (1.4)
s 0

11