Page 54 - 4627
P. 54

Світлова  характеристика  зображує  залежність  струму
                            фотодіода  від  величини  світлового  потоку  при  постійній
                            напрузі  на  фотодіоді:  Ід=f(Ф)  при  Uд=  const.  У  широкому
                            діапазоні  змін  світлового  потоку  світлова  характеристика
                            фотодіода виявляється лінійною (рисунок 5.8, б).

                                 Спектральна      характеристика      показує     залежність
                            спектральної  чутливості  від  довжини  хвилі  падаючого  на
                            фотодіод  світла.  Спектральні  характеристики  германієвих  і
                            кремнієвих фотодіодів показані на рисунку 5.8, в.
                                Параметри фотодіодів.
                                Інтегральна чутливість Sінт— відношення фотоструму
                            діода  до  інтенсивності  падаючого  немонохроматичного
                            випромінювання заданого спектрального складу: Sінт = Iд/Ф.
                                Робоча напруга Up  — постійна напруга, прикладена до
                            фотодіода,  при  якому  забезпечуються  номінальні  параметри
                            при тривалій його роботі в заданих експлуатаційних умовах.
                                Темновий струм Iт — струм, що протікає через фотодіод
                            при  зазначеній  напрузі  на  ньому  під  час  відсутності  потоку
                            випромінювання в діапазоні спектральної чутливості.
                                Довговічність  —  мінімальний  термін  служби  фотодіода
                            при нормальних умовах експлуатації.
                                Широке  застосування  фотодіоди  знаходять  також  у
                            пристроях  введення  і  виведення  сучасних  ЕОМ,  в
                            оптоелектронних схемах.

                                Світлодіоди - перетворюють енергію електричного поля в
                            нетеплове  оптичне  випромінювання.  При  протіканні  струму
                            через  діод  з  арсеніду  галію  рекомбінація  носіїв  заряду
                            супроводжується не тільки виділенням тепла, як, наприклад, у
                            кремнієвого діода, а ще й квантів світла.
                                В  багатьох  напівпровідників  рекомбінація  носить  без
                            випромінюючий  характер  —  енергія,  що  виділяється  при
                            рекомбінації,  віддається  кристалічним  решіткам,  тобто
                            перетворюється  в  остаточному  підсумку  в  тепло.  Однак  у
                            напівпровідників,  виконаних  на  основі  карбіду  кремнію  (Si),
                            галію  (Ga),  миш'яку  (As)  і  деяких  інших  матеріалів,
                            рекомбінація  є  випромінювальною  —  енергія  рекомбінації
                            виділяється у виді квантів випромінювання — фотонів.


















                                                           54
   49   50   51   52   53   54   55   56   57   58   59