Page 49 - 4627

зі збільшенням якого енергетичні зони n- і р- областей
зміщуються сильніше. Однобічна провідність р-n переходу
при тунельному ефекті цілком відсутня (рисунок 5.4).
Для виготовлення тунельних діодів використовуються
германій, арсенід і антимонід галію. Найбільш широке
поширення одержали германієві тунельні діоди.
Основними параметрами тунельних діодів є:
Піковий струм Іп — прямий струм у точці максимуму
вольт - амперної характеристики (0,1÷100) мА .
Струм западини Ів — прямий струм у точці мінімуму
вольт - амперної характеристики.
відношення струму піку І п до струму западини I з
І
п
 5 (  20 )
І
з
Напруга піка Un - пряма напруга, що відповідає
піковому струму.
Напруга западини Uв — пряма напруга, що відповідає
мінімальному струму.
Ємність діода Сд — сумарна ємність переходу і корпуса
діода при заданій напрузі зсуву.
Важлива перевага тунельного діода перед звичайними
напівпровідниковими приладами полягає в його дуже високій
робочій частоті. Це порозумівається тим, що тунельний
перехід електронів відбувається практично миттєво порядку
10-13 с. Виготовлені в даний час тунельні діоди можуть
працювати на частотах до 1011 Гц.
Тунельні діоди - швидкодіючі НП прилади, що
застосовуються в генераторах високочастотних коливань та
швидкодіючих імпульсних перемикачах. За призначенням
тунельні діоди поділяються на наступні основні групи:
підсилювальні, генераторні, перемикаючі
Обернений діод – це різновид тунельного діода.
Концентрація домішок підібрана таким чином, що в
урівноваженому стані за відсутності зовнішньої напруги стеля
валентної зони матеріалу р-типу співпадає з дном зони
провідності матеріалу n-типу (мал. 5.5). Обернений діод - на
основі напівпровідника з декілька меншою концентрацією
домішки, чим у тунельного діода, при якій тунельний ефект

49