Page 51 - 4627
P. 51
Рис.5.6 - Вольт-амперна характеристика типового
оберненого діода
При прямій напрузі на p-n-переходе прямий струм
пов'язаний з дифузією носіїв через потенційний бар'єр, що
знизився, і вольт-амперна характеристика його аналогічна
прямою гілці вольт-амперної характеристики звичайного
діода. Тому прямий струм утворюється тільки в результаті
інжекції носіїв заряду через потенційний бар'єр p-n-переходу,
але при прямій напрузі в декілька десятих доль вольта. При
меншій напрузі прямі струми в обернених діодах менше
зворотних.
Таким чином, цей діод надає малий опір струму, що
проходить у зворотному напрямі і порівняно високе прямому
струму. Тому використовуються вони тоді, коли необхідно
випрямляти дуже слабкі електричні сигнали величиною в малі
долі вольта високої частоти
51
