Page 36 - 4627
P. 36

Найпростіша  схема  включення  імпульсного  діода
                            приведена  на  рисунку  3.7.  Під  впливом  вхідного  імпульсу
                            позитивної  полярності  (рисунок  3.7,  б)  через  діод  протікає
                            прямий  струм,  величина  якого  визначається  амплітудою
                            імпульсу,  опором  навантаження  й  опором  відкритого  діода.
                            Якщо  на  діод,  через  який  протікає  прямий  струм,  подати
                            зворотну напругу так, щоб його закрити, то діод запирається
                            не миттєво (рисунок 3.7, в). У перший момент спостерігалося
                            різке  збільшення  зворотного  струму  І1  через  діод  і  лише
                            поступово з часом він зменшується і досягає сталого значення
                            Іобр.  Зазначене  явище  зв'язане  зі  специфікою  роботи  р-n
                            переходу  і  являє  собою  прояв  так  називаного  ефекту
                            нагромадження. Сутність цього ефекту полягає в наступному.
                            Під  час  протікання  прямого  струму  через  р-n  перехід
                            здійснюється  інжекція  носіїв.  У  результаті  інжекції  в
                            безпосередній     близькості     до    переходу     створюється
                            концентрація  неосновних  нерівновагих  носіїв,  що  у  багато
                            разів перевищує концентрацію рівноважних неосновних носіїв
                            в області р-n переходу: чим більше концентрація неосновних
                            носіїв, тим більше зворотний струм. Час життя нерівновагих
                            носіїв  обмежений-nоступово  їхня  концентрація  зменшується
                            як за рахунок рекомбінації, так і за рахунок відходу через р-n
                            перехід.  Тому  через  якийсь  час  (τв  на  рисунку  3.7,  в)
                            нерівновагі  неосновні  носії  зникнуть;  зворотний  струм
                            відновиться до нормального значення Іобр.
                                 Основною  характеристикою  імпульсних  діодів  є  їхня
                            перехідна характеристика. Вона відбиває процес відновлення
                            зворотного  струму  і  зворотного  опору  діода  при  впливі  на
                            нього імпульсної напруги зворотної полярності (див. рисунок
                            3.7, в).
                                Основні параметри імпульсних діодів:
                                Час відновлення зворотного опору τв - інтервал часу від
                            моменту проходження струму через нуль після переключення
                            діода  з  заданого  прямого  струму  в  стан  заданої  зворотної
                            напруги до моменту досягнення зворотним струмом заданого
                            низького значення.
                                Заряд переключення Qпк - частина накопиченого заряду,
                            що випливає в зовнішній ланцюг при зміні напрямку струму з
                            прямого на зворотній.


















                                                           36
   31   32   33   34   35   36   37   38   39   40   41