Page 32 - 4627

провідність, а на границі між цим шаром і основною масою
пластинки виникає р-n перехід. Така конструкція діода
забезпечує невелику величину ємності р-n переходу (не більш
1 пФ), що дозволяє ефективно використовувати діод на
високих частотах. Однак мала площа контакту між частинами
напівпровідника з провідністю типу п і р не дозволяє
розсіювати в області р-п переходу значні потужності. Тому
точкові діоди менш потужні, ніж площинні, і не
використовуються у випрямлячах, розрахованих на великі
напруги і струми. Вони застосовуються, головним чином, у
схемах радіоприймальної і вимірювальної апаратури, що
працює на високих частотах, а також у випрямлячах на
напруги не вище декількох десятків вольт при струмі порядку
десятків міліампер.
Площинні діоди залежно від площі переходу володіють
ємністю в десяткипікофарад і більше. Тому їх застосовують на
частотах не більше десятківкілогерців. Допустимий струм в
площинних діодах буває від десятків міліампер до сотень
ампер і більше.
Типи діодів.
За призначенням напівпровідникові діоди
підрозділяються на випрямляючі діоди малої, середньої та
великої потужності, імпульсні діоди і напівпровідникові
стабілітрони варикапи світодіоди фородіоди.

9
Рис.3.4 Графічне позначення напівпровідникових діодів.
1- загальні позначення (випрямний, імпульсний,
високочастотний діод); 2- стабілітрон; 3-двоанодний

32