Page 31 - 4627
P. 31

Максимально         припустима      імпульсна      зворотна
                            напруга Uобр. і. max
                                Постійний зворотний струм Іобр - значення постійного
                            струму, що протікає через діод у зворотному напрямку при
                            заданій, зворотній напрузі.
                                Середній зворотний струм Іобр. ср -  середнє за період
                            значення зворотного струму.
                                Виготовляються  випрямні  діоди  переважно  із  кремнію,
                            рідше з германію (у перспективі - із арсеніду галію, як більш
                            термостійкого).  В  залежності  від  конструктивного
                            виконання       діоди     поділяють       на     площинні       і
                            точкові.


















                                Головні    методи      виготовлення     площинних     діодів:
                            плавлення і метод дифузії.
                                При  способі  плавлення  кладеться  в  напівпровідник  з  н-
                            провідністю шматочок індію і все це закладається в піч. Там
                            індій розплавляється і частина його атомів наполягає через
                            кристал, утворюючи зону з п-проводимостью.
                                При  способі  дифузії  закладається  напівпровідник  з  н-
                            провідністю  в  середовище,  що  містить  пари  домішки
                            наприклад  індію.  Під  високою  температурою  атоми  індія
                            дифузують через кристал і утворюють зону з п-провідністю.
                                Точковий      перехід     отримують        при     зіткненні
                            напівпровідникового  кристала  і  металевого  вістря.  Якщо
                            пропустити через металеве вістря імпульс струмувеличиною
                            до  400  мА,  у  результаті  формується  тонкий  шар
                            напівпровідника,  що  примикає  до  вістря,  здобуває  діркову

















                                                           31
   26   27   28   29   30   31   32   33   34   35   36