Page 39 - 4627
P. 39
Лекційне заняття № 4
Дослідження характеристик стабілітронів
Явище електричного пробою, небезпечне для звичайних
діодів, знаходить корисне застосування в кремнієвих
площинних діодах, що одержали назву кремнієвих
стабілітронів, чи опорних діодів.
При виготовленні стабілітронів найбільше широко
використовуються сплавний і дифузійно-сплавний методи
одержання p - n переходів. Вихідним матеріалом при
виготовленні стабілітрона служить пластинка кремнію n-типу.
В неї вплавляється алюміній, що є акцепторною домішкою
для кремнію. Кристал з p - n переходом міститься звичайно в
герметичному металевому корпусі.
Нормальним режимом роботи стабілітронів є робота при
зворотній напрузі, що відповідає зворотному електричному
пробою р-n переходу.
НП діод, на якому напруга в зоні електричного пробою
майже не залежить від струму, називається стабілітроном. Як
постає з ВАХ, наведеної на рис. 4.1, у зоні пробою напруга на
стабілітроні майже не залежить від струму через нього I ст.
Рис. 4.1 – Умовне позначення та ВАХ стабілітрона
Стабілітрони використовують для стабілізації напруги.
Щоб запобігти тепловому пробою, їх конструкція забезпечує
ефективне відведення тепла від кристалу.
Основними параметрами стабілітрона є:
- напруга стабілізації U ст, що становить від 1 до 1000 В;
39