Page 12 - 4609

Процес проводиться при тем- К/с), обробкою поверхні ма-
пературах 950-1200 °С протя- теріалу лазерним випроміню-
гом, приблизно, 0,5 години. ванням або ж іонним пучком,
Товщина отримуваного шару осадженням із парогазової
складає 0,035-0,10 мм. фази та іншими. Утворення
аморфного шару залежить від
- у твердому середовищі – швидкості охолодження, ін-
проводиться в порошковому тенсивності випромінювання,
суміші, яке складається із Аl, температури підкладки, хімі-
SiO 2, Al 2O 3, NaF, Si і NH 4Cl, чної природи імплантуючої
кількістьА1 складає 25-45 %. речовини та інших факторів.
Процес проводиться при тем- А. використовується для під-
пературах 900-1250 °С трива- вищення корозійної стійкості,
лістю до 10 годин. Товщина в’язкості руйнування, зносо-
отримуваного шару складає стійкості деяких матеріалів,
0,05-0,60 мм. наприклад, кераміки на осно-
Алюмотермія – процеси, ві карбіду кремнію, нітриду
що базуються на відновленні кремнію, оксиду алюмінію.
порошкоподібним алюмінієм - наведена імплантацією –
кисневих сполук металів. перетворення кристалічної
При А. розвивається темпе- структури поверхні деталі в
ратура до 3000 °С. Викорис- аморфну в результаті прове-
товується у зварювальному дення імплантаційної оброб-
виробництві при термітному ки. Аморфізація при імплан-
зварюванні. таційній обробці спостеріга-

Аміак – NH 3, найпростіша ється в тих випадках, коли
сполука азоту з воднем. А. – імплантаційна доза переви-
газ без кольору із задушли- щує критичну величину, за-
вим запахом. Застосовується лежно, у свою чергу, від фі-
для азотування сталі, у зва- зико-хімічного стану матері-
рювальному виробництві – алу, який піддається імплан-
для отримання газової суміші таційній обробці, температу-
збагаченої воднем. ри та інших факторів.
Аморфізація – перехід ре- Аморфний стан – стан
човини з кристалічного в твердого тіла, характерний
аморфний стан. А. зазвичай відсутністю дальнього по-
виконують шляхом надшвид- рядку в упакуванню атомів.
кого охолодження (V ох ≥ 10 6 За вказаною ознакою А.с.
протилежний кристалічному.

11