Page 75 - 4121

Z / R c
5
1 0
4
1 0
R s = R c / 1 0 0 0 0
3
1 0
R / 1 0 0 0
s = R c
2
1 0
R / 1 0 0
s = R c
1 0
R / 1 0
s = R c
1
- 1
1 0
- 2
1 0
- 3
1 0
- 4
1 0
- 5
1 0 f / f c
- 4 - 3 - 2 - 1 2 3 4
1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0
Рисунок 4.7 – Імпеданс реальних котушок індуктивності
Z  R при f  R s /2 L (4.23),
s
Z  2 fL при R s /2 L  f  f c /3 (4.24)

Z    L  / R C 2  / L C  0,5 при f  f (4.25),
 s p p    c

1
Z  2 fC p  при f  3 f c (4.26)
У стандартних високочастотних котушок індуктивності
(дроселів) R s знаходиться у межах 0,2 Ом R s  5 Ом, а
паразитна ємність – у межах 1,5 пФ C p  4 пФ. Котушки
індуктивності для поверхневого монтажу мають значення
R  10 Ом та паразитну ємність у межах 0,2 пФ C p  20 пФ.
s

74