Page 116 - 149

Вхід Вихід Вхід/Вихід
 D 0 o o . . . . . . o  D 0  o o . . . . . . o
 D 1 o o . . . . . . o  D 1  o o . . . . . . o
 D 2 o o . . . . . . o  D 2  o o . . . . . . o
 D 3 o o . . . . . . o  D 3  o o . . . . . . o
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
 D 7 o o . . . . . . o  D 7  o o . . . . . . o
1 2 . . . . . . m 1 2 . . . . . . m
Група елементів Група елементів
а) б)

Рисунок 6.6-- Ілюстрація роботи ЗП з послідовним доступом.
2. Слова можуть переміщуватись в будь-якому напрямку, а інформація
записується і зчитується на одній і тій же групі елементів, тобто в порядку,
протилежному до запису. ЗП цього типу називають стековими (рис. 6.6 б).

6.4 Організація модулів пам'яті МПС
Модуль пам'яті синтезують на базі окремих ВІС статичної або
динамічної пам'яті, а також ВІС ПЗП. Випускаються 1-, 4-, 8- і 16-розрядні
ВІС пам'яті.
При побудові модулів пам'яті виникає задача нарощування
інформаційної ємності шляхом об'єднання ВІС у відповідну матрицю, а також
буферизація шини адреси, даних і керування. Нарощування ємності
здійснюється двома шляхами:
1) Розширення розрядності шляхом паралельного включення ВІС, які
об'єднуються по всім виводам, крім інформаційних (рисунок 6.7а ).

Рисунок 6.7- Способи нарощування ємності пам'яті

117