Page 118 - 149

А11 будуть знаходитись в стані 00000 і 00001. Таким чином, комірки ПЗП і
ОЗП займають в адресному просторі області ООООН-07FFН і 0800Н-ОFFFН.
Перехід виходів мікросхеми пам'яті у високоімпендансний стан

забезпечується подачею логічної одиниці на входи OE (дозволу виходу) з лінії
MEMR шини керування МП. Напрям передачі інформації в ОЗП змінюється в
залежності від сигналу на лінії MEMW шини керування.
В ПЗП є вхід включення режиму програмування РG, на який в режимі
читання необхідно подати +5В.
При необхідності об'єм пам'яті можна нарощувати, використанням
додаткових ПЗП і ОЗП. При цьому їхні входи CS приєднуються до інших
виходів дешифратора DС.
Є певні особливості при організації пам’яті в МПС на базі МП К 1810
ВМ86.
При підключенні ЗпП до шин МПС необхідно забезпечити передачу як
двобайтових слів, так і окремих байтів. З цією метою память виконується у
вигляді двох банків (рисунок 6.9): молодшого, підключеного до лінії даних
D7-D0, який містить байти з парними адресами (А0=0), і старшого,
підєднаного до D15-D8, який зберігає байти з непарними адресами (А0=1).
Щоб кожне слово передавалось за один цикл шини, їх розміщують тільки за
парною адресою. Адресна лінія А0 сумісно з лінією дозволу старшого банку
ВНЕ забезпечує такі варіанти пересилок шиною даних:
А0=0, ВНЕ=0 -пересилається слово;
А0=0, ВНЕ=1 -пересилається тільки молодший байт;
А0=1, ВНЕ=0 -пересилається тільки старший байт;
А0=1, ВНЕ=1 -пристрій не вибрано.
Відпрацювання сигналу ВНЕ і вказаний порядок пересилок реалізується
МП автоматично.
При читанні із ЗпП в будь-якому випадку на шину даних буде
подаватись слово, з якого МП при необхідності вибере необхідний байт і
розмістить його в регістр, визначений командою. Тому сигнали ВНЕ і АО на
ПЗП не подаються. При запису в ЗпП необхідно розрізняти старший та
молодший байти (інакше можна знищити інформацію в сусідньому байті).
Для цього сигнали ВНЕ і А0 подаються на входи CSH i CSL вибору старшого
та молодшого банків в ОЗП.
Процес звернення до ПЗП стробується сигналом MEMR, а до ОЗП-

сигналами MEMR i MEMW, обєднаних при допомозі логічного елемента І-НІ.
На рисунку ємність кожного блоку (ПЗП і ОЗП) складає 8 Кбайтів. Блок ПЗП
може бути виконаний, наприклад на основі включених паралельно ВІС
К573РФ4 ємністю 8 КБайтів кожна, а блок ОЗП-на основі восьми ВІС
К537РУ10 ємністю 2 КБайти кожна. Адресні входи А12-А0 кожної пари ВІС
зєднані паралельно і підєднані до адресних ліній А13-А1. Вільна лінія А15
використовується для вибору блоків ПЗП (А15=0) і ОЗП (А15=1). В

119