Page 115 - 149

Стирання інформації проводиться ультрафіолетовим випромінюванням
значної інтенсивності, або електричним сигналом амплітудою 25-36 В.

Основні характеристики РПЗП Параметри
6
кількість циклів репрограмування 100...10
час зберігання інформації 2-10 т. год
В останні роки постійну пам’ять стала витісняти енергонезалежна
пам’ять ( EEPROM і флеш – пам’ять) , запис в яку можливий в самій МПС в
спеціальному режимі роботи . Така пам’ять характерна для сучасних
однокристальних мікроЕОМ . В даних видах пам’яті практично стирається
мера між ОЗП та ПЗП .
В інформаційно - організаційному плані ПЗП близька до ОЗП:
Управління процесом зчитування забезпечується формуванням адреси
комірки пам’яті і наявністю сигналу вибірки кристала CS  0(рисунок 6.5). В
електричних схемах тип ПЗП задається надписками:

Масочні - ROM
ППЗП - PROM

РПЗП - RPROM

Рисунок 6.5

Програмовані логічні матриці (ПЛМ)

ЗП даного типу представляють собою матрицю вентилів, що реалізують
логічні функції АБО та І. На їх основі можна складати складні комбінаційні
логічні схеми. ПЛМ відрізняються від ПЗП тільки структурою і випускаються
як пристрій, що програмується маскою і користувачем. При підключенні до
ПЛМ дешифратра можна одержати невеликої ємності ПЗП з великою
швидкодією.
Запам’ятовуючі пристрої з послідовним доступом

Дані запам’ятовуючі пристрої є різновидом ОЗП. Термін “послідовний
доступ” oзначає, що позиція слів є доступною для зчитування тільки у
певному порядку. Розрізняють два типи цих пристроїв:
1. Слово переміщується завжди в одному напрямку вздовж ланцюга із
групи елементів. Інформація записується в першу групу елементів на початку
ланцюга і зчитується в кінці. Такі ЗП називають буферними (рис.6.6а).

116