Page 58 - 6912

l
    (   ) , 
 Д П
l
а зміна його опору при цьому
l
R  kR   kR (   П ) , 
Д
l
Оскільки зміна опору тензорезистора, обумовлена
наявністю ТКС матеріалу чутливого елемента, дорівнює

 R  R  , та загальна зміна опору тензорезистора, викликана
 
зміною температури навколишнього середовища на  ,

R  R   kR (    )    R   (    )   .

k
  Д П Д П
Основною динамічною характеристикою тензорезисторів є
їхня власна частота, значення якої для наклеєних тензорезисторів

лежить у межах 100...300 кГц. Власна частота тензорезистора
визначає граничну частоту досліджуваного процесу, при якій
частотними похибками можна знехтувати. Для досліджень
змінних деформацій звичайно вибирають тензорезистивний

перетворювач, власна частота якого хоча б у 5...10 разів
перевищувала частоту деформацій.
Важливим параметром тензорезисторів є припустима

потужність Р, що може розсіюватися в тензорезисторі за умови,
що його перегрів не перевищить припустимого значення.
Припустима потужність тензорезистора перебуває у визначеній
залежності від його геометричних розмірів, що може

використовуватися як при визначенні Р для відомих
тензорезисторів, так і при визначенні геометричних розмірів
проектованих перетворювачів, виходячи з заданої припустимої

потужності або припустимого значення вимірювального струму:
P P УД
   PR   ,
T
S  
0 T Т
де R — тепловий опір; S — площа поверхні тепловіддачі
Т
q
матеріалу резистора;  — коефіцієнт тепловіддачі; РУД =P/S —
0

T
питоме теплове навантаження.
Відвід теплоти від тензорезистора до досліджуваної деталі
через шар клею і підложку значно перевищує тепловіддачу в
навколишнє повітря. Тому можна вважати, що практично все

тепло відводиться в досліджувану деталь, а за площу S для
0
плівкових і фольгових тензорезисторів приймають поверхню

58