Page 98 - 6378

термоелектрорушійною силою. У цьому процесі чітко проявляється дірковий і електронний

механізм провідності напівпровідника. Гарячий кінець діркового напівпровідника
заряджається від’ємно, а холодний – додатньо, що відповідає дифузії дірок з гарячої області

в холодну. В електронній речовині спостерігається зворотня картина: гарячий кінець

заряджається додатньо, а холодний – від’ємно, що відповідає дифузії електронів від гарячого
кінця до холодного.

На відміну від металів коефіцієнт термоелектрорушійної сили в напівпровідників

значно більший і може сягати значень, які перевищують 1000 мкв на градус.
43.6. Мікросхеми та їх застосування. Інтегральною мікросхемою (ІМС) називають

мікроелектронний виріб, що виконує визначену функцію перетворення, обробки сигналу і
(або) накопичування інформації і має високу щільність упакування електрично з’єднаних

елементів (або елементів і компонентів) і (або) кристалів, що з точки зору вимог до
випробувань, приймання, постачання й експлуатації розглядається як єдине ціле.

Елемент ІМС – частина ІМС, що виконує функцію якогось електрорадіоелемента,

що виготовлена невід’ємно від кристала або підложки і не може бути виділена як
самостійний виріб щодо вимог до випробувань, приймання, постачання й експлуатації (під

електрорадіоелементом розуміють транзистор, діод, резистор, конденсатор і ін.).
Компонент ІМС – частина ІМС, що виконує функції якогось електрорадіоелементу,

яку можна розглядати як самостійний виріб щодо вимог до випробувань, приймання,
постачання й експлуатації.

Корпус ІМС – частина конструкцій ІМС, призначена для захисту ІМС від зовнішніх

впливів і для з’єднання з зовнішніми електричними ланцюгами за допомогою виводів.
Ступінь інтеграції ІМС – показник ступеня складності ІМС, що характеризується

числом елементів, які містяться в ній, і компонентів. ІМС першого ступеня інтеграції містить

до 10 елементів і компонентів включно, ІМС другого ступеня інтеграції – від 11 до 100 і т.д.
Серія ІМС – сукупність типів ІМС, що можуть виконувати різні функції, мають

єдине конструктивно-технологічне виконання і призначені для спільного застосування.
Залежно від технології виготовлення інтегральні схеми діляться на

напівпровідникові, плівкові та гібридні.
Напівпровідниковою інтегральною схемою називається ІС, всі елементи і

міжелементні з’єднання якої виконані в середині та на поверхні напівпровідника.

Плівковою інтегральною схемою називається ІС, всі елементи і міжелементні
з’єднання якої виконані тільки у вигляді плівок. Варіантами технічного виконання плівкових

інтегральних схем є тонко і товстоплівкові ІС. До тонкоплівкових умовно відносять ІС із
товщиною плівок до 1 мкм, а до товстоплівкових ІС із товщиною плівок понад 1 мкм.