Page 233 - 6208

Розмір зародка, що знаходиться в рівновазі з пересиченим
розчином, обернено пропорційний логарифму ступеня пересичення:

r = 2 σ · М / [ρ · R · T · ln (Сп / С*)] (17.7)

де: М - молярна маса твердої фази;
ρ - густина речовини;
R - універсальна газова стала;
Т - абсолютна температура.

Ймовірність утворення зародків зростає з підвищенням
температури. Цьому процесу сприяє механічна вібрація,
перемішування, вплив акустичного та магнітних полів. Ріст кристалів
відбувається в результаті дифузії речовини з основної маси розчину до
поверхні зростаючого кристала з подальшим включенням частинок
розчиненої речовини в кристалічну решітку.
Швидкість дифузії частинок до поверхні кристала визначається за
рівнянням:

dMτ / dτ = β · F (Сп - С кр.) (17.8)

а швидкість росту кристала:

dMτ / dτ = β кр. · F (С кр. - С*) (17.9)

Загальне рівняння швидкості кристалізації має вигляд:

dMτ / dτ = 1 / (1 / β + 1 / β кр.) · F (Cп - С*) = k кр. · F (Сп - С*) (17.10)

де: Мτ - кількість дифундуючої речовини;
τ - час;
β і β кр. - коефіцієнт масовіддачі й процесу кристалізації;
F - площа поверхні кристала;
С кр. - концентрація речовини біля поверхні кристала;
k кр. - коефіцієнт швидкості кристалізації.

Деякі домішки в розчині збільшують швидкість кристалізації, інші
зменшують.