Page 63 - 4863
P. 63

мають невелику інформаційну ємність і швидкодію роботи процесора;
                           кеш–пам’ять,  яка  служить  для  зберігання  копій  інформації,  що
                           використовуються  в  поточних  операціях  обміну.  Висока  швидкодія
                           кеш–пам’яті  підвищує  продуктивність  комп’ютера;  оперативні,  які
                           характеризуються високою швидкодією та інформаційною ємністю до
                           сотень  мегабайт;  оперативна  пам’ять  комп’ютерів  перших  поколінь
                           будувалася  на  магнітних  осердях,  тепер  же  ОП  реалізується  на
                           напівпровідникових ВІС ЗП. У процесі роботи інформація із зовнішньої
                           пам’яті  при  необхідності  переписуються  в  оперативний  ЗП  (ОЗП);
                           постійні,  які  будуються  на  напівпровідникових  ВІС.  До  постійної
                           пам’яті  інформацію  записують  заздалегідь  і  її  можна  тільки
                           прочитувати.  Оперативні  й  постійні  ЗП  утворюють  основну  пам’ять
                           комп’ютера;  спеціалізовані  види пам’яті  –  багатопортові,  асоціативні,
                           відеопам’ять та ін.
                                За  фізичним  принципом  побудови  пам’ять  комп’ютера  буває:
                           магнітна  (на  осерді  та  плівках,  на  циліндричних  і  плоских  магнітних
                           доменах);
                           ультразвукова        (магнітострикційна,        електрострикційна);
                           сегнетоелектрична і голографічна (лазерна), на основі надпровідності;
                           напівпровідникова на ВІС і НВІС, ультра-ВІС.
                                Напівпровідникові  ВІС  ЗП  в  свою  чергу  характеризуються:
                           технологією  виготовлення:  на  біполярних  транзисторах  (ТТЛШ,  ЕЗЛ,
                           І2Л),  на  МОН-структурах  (р-МОН,  п-МОН,  КМОН);  серед  новітніх
                           розробок  слід  відмітити  ЗП,  де  використані  ПТШ  на  основі  арсеніду
                           галію;  способом  зберігання  інформації  –  статичні  та  динамічні  (у
                           статичних  ЗП  елементом  пам’яті  є  тригер,  а  у  динамічних  елемент
                           пам’яті   будують     на    конденсаторі    і   МОН-транзисторах);
                           енергозалежністю:  розрізняють  енергозалежні  ВІС  ЗП,  в  яких  при
                           відключенні  джерела  живлення  інформація,  яка  зберігається,
                           руйнується   (що    справедливо    в   цей    час   для   більшості
                           напівпровідникових мікросхем пам’яті), і енергонезалежні (звичайно на
                           сегнетоелектриках),  в  яких  інформація  зберігається;  структурною
                           організацією ВІС ЗП, яка символічно подається у вигляді N x m, де N –
                           кількість  адресних  одиниць  інформації,  що  зберігаються;  m  –
                           розрядність (організацію у вигляді N x 1 називають однорозрядною, а N
                           x m – словниковою, при цьому т>1).










                                                           62
   58   59   60   61   62   63   64   65   66   67   68