Page 173 - 4687

На рисунку 2.10 наведена схема формування одношаро-
вих газотермічних покриттів при прямолінійному
розташуванні проходів (а, б, в,… n). Кожен наступний прохід
здійснюється з перекриттям попереднього (г). Ділянки
перекриттів формуються периферійними частинками потоку.
Оскільки в периферійних областях двофазних струменів спо-
стерігається невисокий енергетичний стан напилюваних час-
тинок (t ч = t min, v ч = v min), в ділянках перекриттів якість напи-
люваного шару більш низька за когезійною міцністю і більш
висока за дефектами формування. Товщина одношарових
покриттів, як правило, невелика і складає близько 0,1 мм. На-
несення одношарових покриттів значної товщини сприяє
перегріву напилюваної поверхні і збільшенню нерівностей
при перекритті.
Поряд з прямолінійним переміщенням плями напилю-
вання використовують і інші траєкторії. У ряді випадків
вдається скоротити нерівності до мінімального рівня. При русі
плями напилювання по поверхні передній фронт частинок у
потоці має низькоенергетичний стан і утворює слабкі зв'язки
при контактуванні, які перекриваються наступними централь-
ними високонагрітими частинками, завершують формування
шару периферійні, також слабо нагріті частинки потоку. От-
же, при одношаровому нанесенні покриттів у приповерхнево-
му шарі формуються частинки із зниженим рівнем термічної і
механічної взаємодії.
Розглянуті механізм і кінетика формування одношаро-
вих покриттів з усією очевидністю вказують на неоднорід-
ність структури, а отже, і властивостей напилюваних на виро-
би газотермічних покриттів, що необхідно враховувати при
оцінках областей застосування таких покриттів. Є великі ре-
зерви для підвищення якості покриттів у процесі їх нанесення,
наприклад під засобом екранування периферійних частинок в
двофазному потоці; застосування компактованих потоків з
малим кутом розбіжності; ведення процесу з місцевим або
172