Page 43 - 4627

областями. Величина бар'єрної ємності діода С може бути
визначена з формули
S 
С 
б
4 d 
де ε - відносна діелектрична проникність напівпровідника;
S - площа р-n переходу, d - ширина р-п переходу.
Формула (3) аналогічна формулі для ємності плоского
конденсатора. Однак, незважаючи на подібність цих формул,
між бар'єрною ємністю і ємністю конденсатора є принципове
розходження В звичайному конденсаторі відстань між його
пластинами, а отже, і його ємність не залежати від напруги,
прикладеного до конденсатора. Ширина ж р - n переходу
залежить від величини прикладеної до нього напруги, отже,
бар'єрна ємність залежить від напруги, при збільшенні
замираючої напруги ширина р-n переходу збільшується, а
його бар'єрна ємність зменшується.
Основною характеристикою варикапа є залежність його
ємності від величини зворотної напруги (вольт - фарадна
характеристика) Типова характеристика С=f(Uобр) показана
на рисунку 5.2.

Рисунок 5.2 - Залежність ємності варикапа від величини
зворотної напруги
В залежності від призначення величина номінальної
ємності варикапів може бути в межах від декількох пікофарад

43