Page 122 - 4609

газовому і плазмовому сере- дом при прикладанні високої
довищі. напруги. Іони кремнію, бом-
бардуючи поверхню катоду,
- у газовому середовищі - нагрівають її до температури
поводиться в газовій атмос- обробки 900-1100 °С і наси-
фері, що містить тетрахлорид чують її кремнієм на товщину
кремнію (SiCl 4), силан (SiH 4), (включаючи товщину дифу-
ферокремній, хлор або хло- зійної зони) до 0,30 мм. Час
ристий водень, азот, аргон, обробки зазвичай складає 1-2
дисоційований або недисоці- години. Швидкість насичення
йований аміак і водень. Про- при силіціюванні в плазмі
цес проводиться при темпе- більша, ніж при традиційно-
ратурах 800-1200 °С протя- му процесі силіціювання в
гом 1-4 годин. Товщина газовому середовищі.
отриманого шару не переви-
щує 0,2 мм. - у тердому середовищі -
силіціюваня, яке проводиться
- у рідкому середовищі - в порошковій суміші, що
силіціювання, яке проводить- складається із кремнію, змі-
ся електролітичним або не- шаного з кремнійвмісними
електролітичними способами речовинами такими як карбід
в розплавах, що містять силі- кремнію, силікокальцій і фе-
кати лужних металів, хлори- росиліцій, із інертних доба-
ди і фториди лужних і луж- вок (наприклад, глинозему,
ноземельних металів, а також оксиду магнію, вогнетривкої
кристалічний кремній, феро- глини) і активаторів (NH 4Сl,
кремній, силікокальцій и кар- NН 4I, NH 4F, KF, NaF). Про-
бід кремнію. Процес прово- цес проводиться при темпе-
дитmся при температурах ратурах 950-1200 °С протя-
900-1100 °С потягом 0,5-10,0 гом 4-6 годин. Товщина
годин. Товщина отриманого отриманого шару не переви-
шару не перевищує 0,40 мм. щує 1,0 мм.
- у плазмі - cиліціювання, Сировина – вихідні речови-
яке проводиться в плазмі ни або матеріали, що є об'єк-
тліючого розряду, отриманої
. 2 . 2 том переробки. С., піддану
в розрідженій (1,3 10 -13 10 переробці, але яка не є гото-
Па) кремнійвмісній атмосфе- вим продуктом, називають
рі (пари тетрахлориду крем- напівфабрикатом. Вона може
нію) між оброблюваною де- бути природною (наприклад,
таллю, яка є катодом, і ано- мінерали, руди) і синтетич-

119