Page 177 - 4262

k - постійна Больцмана, Дж К ; Т - абсолютна температура,
К . Для вакансій  0 0  , для йонів проникнення  0 0  .
Із термодинаміки випливає, що в решітці з іонним
типом зв’язку кількість вакансій завжди більша числа йонів
проникнення, крім того дифузія вакансій полегшена в
порівнянні з дифузією йонів, тому дифузія заряджених
дефектів відбувається головним чином завдяки переміщенню
вакансій. Напруженість поля стороннього струму (завдяки
переміщенню дефектів) має вигляд
  t 
е
j  
Е  1  е  , (8.5)
 е  
 
2
де: j - густина стороннього струму, А м ;  - питома
е
електрична провідність середовища, 1 Ом ; t - час, с;  -
діелектрична проникність, Ф м .
Для багатьох порід час релаксації заряду
 4  10  5
    е  10  10 , тобто уже при t 10 с напруженість
поля (після перехідного процесу) стає рівною
Е  j  , (8.6)
е

тобто із зміною напруг  дуже швидко, за t 10  3 с змінюється
величина поля – практично синхронно зі зміною напруг.
Густина стороннього струму j визначається з виразу
j  q I  , (8.7)
де q - заряд, переносимий однією вакансією, Кл. Тоді з (8.6) з
урахуванням (8.4) і (8.7) випливає, що
Е   nDq 3 kT  e grad  . (8.8)

0
При подальшому аналізі (8.8) усі вхідні в неї величини, крім
 , вважаємо константами. Величини  , q , k , очевидно,
постійні. Розглянемо відношення nD  T . При зміні
температури, наприклад на 100 С,   lg 10 B  lg 10   B  1 ,
 D  lg a  lg   a  5 , а кількість дефектів n змінюється

177