Page 55 - 4171

тензорезисторів, є також можливо більше значення коефіцієнта
тензочутливості, високий питомий електричний опір. Крім того,
температурний коефіцієнт лінійного розширення чутливого
елемента перетворювача повинен бути за можливості рівним

температурному коефіцієнту лінійного розширення матеріалу
досліджуваного об'єкта.
Коефіцієнт тензочутливості напівпровідникових

тензорезисторів визначається в основному зміною питомого
електричного опору
  / 
k  R  m  .
 l  /l
l

Значення k напівпровідникових тензорезисторів, на відміну
від провідникових, значною мірою залежать від ступеня
деформації, температури, питомого електричного опору, типу
провідності і досягають 150...200. При цьому в напівпровідниках

п-типу коефіцієнт тензочутливості негативний, а в
напівпровідниках р-типу — позитивний.
У практиці вимірювальних перетворень тензоефект

використовується в двох напрямках. Це, по-перше, зміна опору
провідника або напівпровідника в результаті об'ємного стиску.
Вхідною величиною такого перетворювача є тиск навколишнього

його газу або рідини. На цьому принципі будуються
перетворювачі високих і надвисоких тисків, що виготовляються у
виді бескаркасной обмотки, намотаної звичайно з манганінового

дроту, а перетворювачами низьких тисків є германієвий або
кремнієвий тензорезистор.
Сутність другого напрямку полягає у використанні
тензоефекту розтягуючого або стискуючого тензочутливого

матеріалу. Перетворювачі цієї групи можуть бути виконані у
вигляді наклеюваних дротових, фольгових або плівкових, або так
званих вільних (начіпних) тензоперетворювачів.

Як матеріали для виготовлення дротових тензорезисторів
використовують найчастіше константан, ніхром, елінвар,
платино-родій. Однак найбільше поширення у вітчизняній
тензометрії одержали тензорезистори зі спеціального

константанового мікродроту діаметром 0,025...0,035 мм.

54