Page 134 - 4121

Рисунок 7.4 - Теплова модель напівпровідникового
елементу, встановленого на радіаторі

За наявності радіатора теплові опори між корпусом і
навколишнім середовищем знаходяться з виразу:
R (R  R )
R  . кс . к р . р с (7.21)
..заг
кс
R . кс  R . к р  R . р с
Тепловий опір корпус - радіатор R . кр залежить від якості
теплового контакту між транзистором і радіатором. При
щільному приляганні транзистора до поверхні радіатора
тепловий опір є низьким і знаходиться в межах (0,5 -1,0).
При використанні між корпусом напівпровідникового
елементу і радіатором ізолюючої прокладки слід враховувати
її вплив на тепловий опір R . кр . Так, для слюди завтовшки 0,06;
о
0,14 і 0,41 мм тепловий опір R . кр рівний 1,6; 2,0 і 2,7 С/Вт
відповідно. Для лавсанових прокладок величина R . кр
о
знаходиться в межах (0,6-1,0) С/Вт.
Тепловий опір радіатор - навколишнє середовище R . рс .
залежить головним чином від величини радіатора і якості
обробки його поверхні.
Поверхня радіатора практично завжди є значно більшою
за поверхню напівпровідникового елементу, тому можна
133