Page 133 - 4121

Рисунок 7.3 – Коефіцієнти опромінення взаємно
перпендикулярних прямокутників із спільною гранню

На рис. 7.4 представлена теплова модель транзистора
(або будь-якого іншого напівпровідникового приладу),
встановленого на радіаторі. Тут t п, t с - температури переходу і
середовища; Р - потужність, що виділяється в елементі; R ,
. пк
R , R . кр , R . рс - відповідно теплові опори перехіді - корпус,
. кс
корпус - середовище, корпус - радіатор і радіатор -
середовище.
Транзистори, що працюють без тепловідводів,
характеризуються тепловим опором між областю електронно-
діркового переходу в кристалі напівпровідника і навколишнім
середовищем R . Цей тепловий опір залежить від конструкції
. кс
транзистора і може бути розрахований за формулою:
R . пс  R . п к  R (7.20)
. к с
Значення теплового опору R деяких типів
. пк
напівпровідникових елементів наведені в табл. 7.4.

132