Page 139 - 4121

Продовження таблиці 7.5
П302-П306А 120 КД202А- (130)
КД202Е
КТ601А 150 Д242-Д242Б (130)
КТ602А- 120 Д302-Д305 (70)
КТ602Г
КТ604А,
КТ604Б
КТ605А, Д302А-
КТ605Б 150 Д303А (55)
КТ801А,
КТ801Б
Д229В-Д229Е (85)

Потужність, яка розсіюється транзистором, складається з
потужностей, що розсіюються його р-n-переходами:
P  P  К P  Є I U  К I U , (7.27)
Е
Е
К
де напруга колектора U та емітера U виміряні
Е
К
відносно бази транзистора.
Для транзисторів, що працюють у підсилювальному
режимі, для практичних розрахунків можна вважати:
P  P  I U (7.28)
К
К
К
Потужність, що розсіюється транзистором при роботі в
імпульсному режимі, може бути визначена з виразу:

P  U I  0,33 U I , (7.29)
.т
ж К
.т
КЕ К
0,5
.
T
де U К .Е - падіння напруги на ділянці колектор-емітер у
режимі насичення,
I К .т - амплітуда струму колектора,
U - напруга джерела живлення,
ж
 - тривалість фронту імпульсу,
Т - період слідування імпульсів.
Різниця температур  . кр між корпусом
138