Page 180 - 6583

абсолютна температура, К . Для вакансій  0  , для йонів
0
проникнення  0  .
0
Із термодинаміки випливає, що в решітці з іонним
типом зв’язку кількість вакансій завжди більша за кількість
йонів проникнення. Крім того, дифузія вакансій полегшена
порівняно з дифузією йонів, тому дифузія заряджених
дефектів відбувається головно завдяки переміщенню вакансій.
Напруженість поля стороннього струму (завдяки
переміщенню дефектів) має вигляд

j   t е 
Е    е1   , (8.5)
 е  
де j – густина стороннього струму, А м ;  – питома
2
е
електрична провідність середовища, 1 Ом ; t – час, с;  –
діелектрична проникність, Ф м .
Для багатьох порід час релаксації заряду
4

5

    е  10  10  10 , тобто уже при t 10 с напруженість
поля (після перехідного процесу) стає рівною
Е  j  . (8.6)

е
Отож із зміною напруг  дуже швидко, за t 10  3 с
змінюється величина поля – практично синхронно зі зміною
напруг.
Густина стороннього струму j визначається з виразу
j  q I  , (8.7)

де q – заряд, перенесений однією вакансією, Кл. Тоді з
(8.6) з урахуванням (8.4) і (8.7) випливає, що

Е   nDq 3 kT  grad  . (8.8)
 0 e
При подальшому аналізі (8.8) усі вхідні в неї величини,
крім  , вважаємо константами. Величини  , q , k , очевидно,
постійні. Розглянемо відношення nD  T . Зі зміною
температури, наприклад на 100 С,   lg 10 B lg 10   B  1 ,

180