Page 17 - 6455

Це може бути досягнено шляхом використання напівпро-
відників з меншою шириною забороненої зони (тоді підви-
щується доля фотонів у сонячному випромінюванні, які мають
енергію вищу ширини забороненої зони напівпровідника). З
іншого боку, напруга U , визначаються висотою потенціаль-
ХХ
ного бар’єру в p-n переході і буде тим більша, чим більша ши-
рина забороненої зони напівпровідника. Оскільки для отри-
мання максимальної вихідної потужності фотоелектричного
елемента треба створити такий елемент, у якого будуть най-
більшими не величини U , чи І окремо, а добуток
ХХ КЗ
P  U I  , враховуючи розподіл енергії в спектрі соняч-
М М М
ного випромінювання, можна підібрати найкращий напівпро-
відниковий матеріал для створення ефективних фотоелектрич-
них елементів.
Домінуюча позиція кремнієвої технології у промисловій
сонячній енергетиці (90 % світового виробництва сонячних
елементів) визначає сучасні тенденції науково-технічного роз-
витку цієї галузі. Перевагами кремнієвої технології є достатня
наявність кремнію у природі, його хімічна стабільність і від-
сутність будь-якого токсичного впливу на людей і навколиш-
нє середовище, сумісність технології кремнієвих фотоелек-
тричних елементів і базових процесів мікроелектроніки. Ефек-
тивність промислових фотоелектричних елементів на полі- і
монокристалічному кремнії вже досягла 14-18 %. Енергетич-
ний баланс для фотоелектричного елемента зображений на
рис.1.3.
На фотоелектричних енергетичних установках викорис-
товуються різні типи фотоелектричних елементів, проте всі
вони повинні задовольняти такі умови:
- висока надійність при тривалому (десятки років) ресур-
сі роботи;
- висока доступність сировини і можливість організації
масового виробництва;
- прийнятні затрати на створення системи перетворення
енергії;

16