Page 15 - 6455

в контакті метал-напівпровідник, в контакті двох різних напів-
провідників (гетеропереході).
На рис.1.1 схематично зображено фотоелектричний еле-
мент з p-n переходом та напрям руху фотогенерованих носіїв
заряду. Фотогенеровані в р-області електрони витягуються
електричним полем в n-область, і, навпаки, фотогенеровані в
n-області дірки витягуються електричним полем в р-область.
На омічних контактах виникає різниця потенціалів, яка нази-
вається напругою холостого ходу U . Якщо закоротити кон-
ХХ
такти, то через фотоелектричний елемент потече струм корот-
кого замикання І . Для того, щоб елемент віддавав енергію в
КЗ
зовнішнє коло, до його контактів під’єднують навантаження,
яке має електричний опір R .
Н

Рисунок 1. 1 – Принцип дії фотоелектричного елемента

Тобто фотоелектричний елемент виконує роль помпи, яка пе-
рекачує електрони у напрямку n-область – зовнішнє наванта-
ження – р-область. Узагальнена конструкція фотоелектрично-
го елемента зображена на рис.1.2 (скляна чи пластикова криш-
ка елемента і фільтр між елементом і кришкою не показані).
Слід відзначити, що на відміну від хімічних джерел світ-
ла напівпровідникові фотоелектричні елементи не псуються
під час електричного замикання контактів. Під час відповідно-
14